Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS-Strukturen — jonpluoštis MOP darinių legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS Strukturen, f rus. ионное легирование для формирования МОП структур, n pranc. implantation … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS ion implantation — jonpluoštis MOP darinių legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS Strukturen, f rus. ионное легирование для формирования МОП структур, n pranc. implantation … Radioelektronikos terminų žodynas
implantation ionique pour formation des structures MOS — jonpluoštis MOP darinių legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS Strukturen, f rus. ионное легирование для формирования МОП структур, n pranc. implantation … Radioelektronikos terminų žodynas
ионное легирование для формирования МОП-структур — jonpluoštis MOP darinių legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS Strukturen, f rus. ионное легирование для формирования МОП структур, n pranc. implantation … Radioelektronikos terminų žodynas
